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전우진 부교수 이미지
전우진 JEON Woojin
  • 소 속 공과대학 ,  공과대학 신소재공학과
  • 보 직 학과장(학부학과장 또는 학부/대학원겸직학과장)
  • 전 화 번 호 031-201-3650
  • 이 메 일 woojin.jeon@khu.ac.kr

연구분야

  • 반도체공정,반도체재료

SDG 관심분야

  • 인프라와 산업화

학력

  • 서울대학교 | Ph.D.재료공학
  • 한국과학기술원 | 석사.신소재공학
  • 한국과학기술원 | 학사.재료공학

논문

  • Achieving Equivalent Oxide Thickness Scaling of a ZrO2 Dielectric Thin Film via Gd Doping without Sacrificing Tetragonal Crystallinity

    SCIE SCOPUS

  • Leakage current control of Y-HfO2 for dynamic random access memory applications via ZrO2 stacking

    SCIE SCOPUS

  • Introducing a Controlled Interfacial Layer to Enhance the Template Effect of ZrO in the ZrO/HfO/ZrO Structure

    SCIE SCOPUS

  • Novel halogenated cyclopentadienyl hafnium precursor for atomic layer deposition of high-performance HfO2 thin film

    SCIE SCOPUS

  • Improvement in dielectric properties of ZrO2 thin film by employing a Zr precursor with enhanced thermal stability in high-temperature atomic layer deposition

    SCIE SCOPUS

  • Hybrid reactant-enabled atomic layer deposition of HfO 2 for enhancing metal-insulator-metal capacitor fabricated on TiN electrode

    SCIE SCOPUS

  • Novel deuterated cyclopentadienyl zirconium/hafnium precursors for atomic layer deposition of high-performance ZrO2/HfO2 thin films

    SCIE SCOPUS

  • In-situ crystallization of rutile-phased TiO2 via the template effect using MoO2 electrode for the metal-insulator-metal capacitor applications

    SCIE SCOPUS

  • Investigating Dielectric Relaxation Currents for a Deeper Understanding of Capacitance and Interface in Metal-Insulator-Metal Capacitor

    SCIE SCOPUS

  • Suppressing Interfacial Layer Formation in ZrO2-Based Capacitors with TiN Electrodes via a MgO Thin-Film Oxygen Diffusion Barrier

    SCIE SCOPUS

  • Optimizing the Crystallinity of a ZrO2 Thin Film Insulator for InGaZnO-Based Metal?Insulator?Semiconductor Capacitors

    SCIE SCOPUS

  • Self-isolating electrode deposition process using the area-selective MoO2 and MoO3 atomic layer deposition technique

    SCIE SCOPUS

  • Boosting the Visible Light Optoelectronic Synaptic Characteristics of Solution-Processed IGZO Transistors via Vertically Diffused Cd Dopants

    SCIE SCOPUS

  • Molybdenum Thin Film Formation from Molybdenum Nitride Deposited by Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition with Hydrogen-permeable Mechanical Capping Layer

    SCIE SCOPUS

  • Controllable Layer-By-Layer CdSe/ZnS Quantum-Dot Thin Films for Enhanced Performance of Light-Emitting Diodes and Photodetectors

    SCIE SCOPUS

  • Enhancing chemisorption efficiency and thin-film characteristics via a discrete feeding method in high-k dielectric atomic layer deposition for preventing interfacial layer formation

    SCIE SCOPUS

  • Wake-Up and Endurance Characteristics in Hf0.5Zr0.5O2-Based Metal-Ferroelectric-Metal Capacitor Depending on the Crystal Orientation of the TiN Bottom Electrodes

    SCIE SCOPUS

  • Reliable high work-function molybdenum dioxide synthesis via template-effect-utilizing atomic layer deposition for next-generation electrode applications

    SCIE SCOPUS

  • Bottom-up plasma-enhanced atomic layer deposition of SiO2 by utilizing growth inhibition using NH3 plasma pre-treatment for seamless gap-fill process

    SCIE SCOPUS

  • Controlling the crystallinity of HfO2 thin film using the surface energy-driven phase stabilization and template effect

    SCIE SCOPUS

  • Achieving High Dielectric Constants in Tetragonal Single-Phase ZrHfO2 Thin Films through the Atomic Layer Deposition Process Using a Mixed Precursor

    SCIE SCOPUS

  • An Al-doped TiO2 interfacial layer for effective hole injection characteristics of quantum-dot light-emitting diodes

    SCIE SCOPUS

  • Y-doped HfO2 deposited by atomic layer deposition using a cocktail precursor for DRAM capacitor dielectric application

    SCIE SCOPUS

  • The Significance on Structural Modulation of Buffer and Gate Insulator for ALD Based InGaZnO TFT Applications

    SCIE SCOPUS

  • An Empirical Investigation on the Effect of Oxygen Vacancy in ZrO2Thin Film on the Frequency-Dependent Capacitance Degradation in the Metal-Insulator-Metal Capacitor

    SCIE SCOPUS

  • Plasma-enhanced atomic layer deposited HfO2 films using a novel heteroleptic cyclopentadienyl-based Hf precursor

    SCIE SCOPUS

  • Sustained complementary resistive switching capability deployed by structure-modulated electric field confinement of core-shell nanowires in a simple polymer composite

    SCIE SCOPUS

  • Improved Properties of the Atomic Layer Deposited Ru Electrode for Dynamic Random-Access Memory Capacitor Using Discrete Feeding Method

    SCIE SCOPUS

  • A visible-light phototransistor based on the heterostructure of ZnO and TiO2 with trap-assisted photocurrent generation

    SCIE SCOPUS

  • Improving the photodetection and stability of a visible-light QDs/ZnO phototransistorviaan Al2O3additional layer

    SCIE SCOPUS

  • Modulation of the adsorption chemistry of a precursor in atomic layer deposition to enhance the growth per cycle of a TiO2 thin film

    SCIE SCOPUS

  • Optimized Al-doped TiO2gate insulator for a metal-oxide-semiconductor capacitor on a Ge substrate

    SCIE SCOPUS

  • Highly sustainable mechanical/electrical resistance switching behaviors via one-dimensional Ag/TiO2 core-shell resistive switchable materials in flexible composite

    SCIE SCOPUS

  • Chemistry of ruthenium as an electrode for metal-insulator-metal capacitor application

    SCIE SCOPUS

저역서

특허 및 출원

  • 베타 붕괴를 이용한 인공신경망모사 소자 및 이에 사용되는 나노입자
  • 3차원 반도체 장치 및 이의 제조 방법
  • 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법

전시 및 작품활동

강의

반도체재료및소자기초
  • 학년도-학기 : 2025 - 1
  • 학수번호-분반 : TMSC7001 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
신소재종합설계1
  • 학년도-학기 : 2025 - 1
  • 학수번호-분반 : MSE475 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
화학1
  • 학년도-학기 : 2025 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 06
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 신소재공학과 전용강좌
프런티어전자재료
  • 학년도-학기 : 2025 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE790 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
신소재세미나3
  • 학년도-학기 : 2025 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE723 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
반도체재료및소자기초
  • 학년도-학기 : 2024 - 2
  • 학수번호-분반 : TMSC7001 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
반도체재료및소자
  • 학년도-학기 : 2024 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE7525 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
정보전자신소재세미나4
  • 학년도-학기 : 2024 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE729 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2024 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2024 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
반도체재료및소자기초
  • 학년도-학기 : 2024 - 여름
  • 학수번호-분반 : TMSC7001 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
화학1
  • 학년도-학기 : 2024 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 06
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과
프런티어전자재료
  • 학년도-학기 : 2024 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE790 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공 학생만 수강 가능
정보전자신소재세미나3
  • 학년도-학기 : 2024 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE723 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공 박사과정 학생들만 수강 가능
정보전자신소재종합설계1
  • 학년도-학기 : 2024 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE475 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
반도체재료및소자기초
  • 학년도-학기 : 2023 - 2
  • 학수번호-분반 : TMSC7001 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
원자층증착공정특론
  • 학년도-학기 : 2023 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE7103 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : ALD 공정을 이용한 실험이 가능한 학생들만 수강 가능
박막공학
  • 학년도-학기 : 2023 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2023 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2023 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
화학1
  • 학년도-학기 : 2023 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 06
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재 학생만 수강가능
프런티어전자재료
  • 학년도-학기 : 2023 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE790 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공 학생들만 수강 가능 (수강인원 10명 제한)
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2023 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 2019학번부터는 정보전자신소재공학과 학생만 수강 가능
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
화학1
  • 학년도-학기 : 2022 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 07
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재 전공 외 인원 수강 절대 불가 수강신청시 수강삭제
반도체소자및공정
  • 학년도-학기 : 2022 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE799 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공 학생들만 수강 가능
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2022 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 2019학번부터는 정보전자신소재공학과 학생만 수강 가능
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
화학1
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 07
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재 전공 외 인원 수강 절대 불가 수강신청시 수강삭제
프런티어전자재료
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE790 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공/SMART에너지사업단 잠여학생들만 수강가능
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 2019학번부터는 정보전자신소재공학과 학생만 수강 가능
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
졸업논문(고분자.섬유신소재전공)
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE4001 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
화학1
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 09
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과 전용 강의 타학과 수강불가
정보전자신소재종합설계1
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE475 - 05
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 학부연구생만 담당교수님과 상의 후 수강신청 가능
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
고체물리
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE732 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 학부생 수강가능
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 04
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 03
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 02
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 01
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과 학생만 수강가능
물리학2
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : APHY1001 - 09
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : ABEEK대상강좌(정보전자신소재공학과전용)
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
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