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전우진 부교수 이미지
전우진 JEON Woojin

연구분야

  • 반도체공정,반도체재료

SDG 관심분야

  • 인프라와 산업화

학력

  • 서울대학교 | Ph.D.재료공학
  • 한국과학기술원 | 석사.신소재공학
  • 한국과학기술원 | 학사.재료공학

논문

  • Bottom-up plasma-enhanced atomic layer deposition of SiO2 by utilizing growth inhibition using NH3 plasma pre-treatment for seamless gap-fill process

    SCIE SCOPUS

  • Reliable high work-function molybdenum dioxide synthesis via template-effect-utilizing atomic layer deposition for next-generation electrode applications

    SCIE SCOPUS

  • Controlling the crystallinity of HfO2 thin film using the surface energy-driven phase stabilization and template effect

    SCIE SCOPUS

  • Achieving High Dielectric Constants in Tetragonal Single-Phase ZrHfO2 Thin Films through the Atomic Layer Deposition Process Using a Mixed Precursor

    SCIE SCOPUS

  • Y-doped HfO2 deposited by atomic layer deposition using a cocktail precursor for DRAM capacitor dielectric application

    SCIE SCOPUS

  • The Significance on Structural Modulation of Buffer and Gate Insulator for ALD Based InGaZnO TFT Applications

    SCIE SCOPUS

  • An Empirical Investigation on the Effect of Oxygen Vacancy in ZrO2Thin Film on the Frequency-Dependent Capacitance Degradation in the Metal-Insulator-Metal Capacitor

    SCIE SCOPUS

  • Plasma-enhanced atomic layer deposited HfO2 films using a novel heteroleptic cyclopentadienyl-based Hf precursor

    SCIE SCOPUS

  • Sustained complementary resistive switching capability deployed by structure-modulated electric field confinement of core-shell nanowires in a simple polymer composite

    SCIE SCOPUS

  • Improved Properties of the Atomic Layer Deposited Ru Electrode for Dynamic Random-Access Memory Capacitor Using Discrete Feeding Method

    SCIE SCOPUS

  • A visible-light phototransistor based on the heterostructure of ZnO and TiO2 with trap-assisted photocurrent generation

    SCIE SCOPUS

  • Improving the photodetection and stability of a visible-light QDs/ZnO phototransistorviaan Al2O3additional layer

    SCIE SCOPUS

  • Modulation of the adsorption chemistry of a precursor in atomic layer deposition to enhance the growth per cycle of a TiO2 thin film

    SCIE SCOPUS

  • Optimized Al-doped TiO2gate insulator for a metal-oxide-semiconductor capacitor on a Ge substrate

    SCIE SCOPUS

  • Highly sustainable mechanical/electrical resistance switching behaviors via one-dimensional Ag/TiO2 core-shell resistive switchable materials in flexible composite

    SCIE SCOPUS

  • Chemistry of ruthenium as an electrode for metal-insulator-metal capacitor application

    SCIE SCOPUS

  • Sustainable resistance switching performance from composite-type ReRAM device based on carbon Nanotube@Titania core?shell wires

    SCIE SCOPUS

  • Nanoscale surface engineering of a high-kZrO(2)/SiO(2)gate insulator for a high performance ITZO TFTviaplasma-enhanced atomic layer deposition

    SCIE SCOPUS

  • Comparative Study on the Gate-Induced Electrical Instability of p-Type SnO Thin-Film Transistors with SiO(2)and Al2O3/SiO(2)Gate Dielectrics

    SCIE SCOPUS

  • Atomic layer deposition of Ru thin films using (2,4-dimethyloxopentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)Ru and the effect of ammonia treatment during the deposition

    SCIE SCOPUS

  • Recent advances in the understanding of high-k dielectric materials deposited by atomic layer deposition for dynamic random-access memory capacitor applications

    SCIE SCOPUS

  • Investigating the interface characteristics of high-k ZrO2/SiO2 stacked gate insulator grown by plasma-enhanced atomic layer deposition for improving the performance of InSnZnO thin film transistors

    SCIE SCOPUS

  • The impact of plasma-enhanced atomic layer deposited ZrSiOx insulators on low voltage operated In-Sn-Zn-O thin film transistors

    SCI SCOPUS

  • Substrate Effects on the Growth Behavior of Atomic-Layer-Deposited Ru Thin Films Using RuO4 Precursor and N-2/H-2 Mixed Gas

    SCI SCOPUS

  • Scaling the Equivalent Oxide Thickness by Employing a TiO2 Thin Film on a ZrO2?Al2O3-Based Dielectric for Further Scaling of Dynamic Random Access Memory

    SCI SCOPUS

  • Optimization of a SiOx/SiNxOyCz multilayer structure for a reliable gas diffusion barrier via low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition

    SCI SCOPUS

  • Controlling the Electrical Characteristics of ZrO2/Al2O3/ZrO2 Capacitors by Adopting a Ru Top Electrode Grown via Atomic Layer Deposition

    SCI SCOPUS

  • Improved performance and stability of In-Sn-Zn-O thin film transistor by introducing a meso-crystalline ZrO2 high-k gate insulator

    SCI SCOPUS

  • Controlling the Current Conduction Asymmetry of HfO2 Metal-Insulator-Metal Diodes by Interposing Al2O3 Layer

    SCI SCOPUS

저역서

특허 및 출원

  • 베타 붕괴를 이용한 인공신경망모사 소자 및 이에 사용되는 나노입자
  • 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법
  • 3차원 반도체 장치 및 이의 제조 방법

전시 및 작품활동

강의

화학1
  • 학년도-학기 : 2023 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 06
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재 학생만 수강가능
프런티어전자재료
  • 학년도-학기 : 2023 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE790 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공 학생들만 수강 가능 (수강인원 10명 제한)
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2023 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 2019학번부터는 정보전자신소재공학과 학생만 수강 가능
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2022 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
화학1
  • 학년도-학기 : 2022 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 07
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재 전공 외 인원 수강 절대 불가 수강신청시 수강삭제
반도체소자및공정
  • 학년도-학기 : 2022 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE799 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공 학생들만 수강 가능
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2022 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 영어(부분)강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 2019학번부터는 정보전자신소재공학과 학생만 수강 가능
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2021 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
화학1
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 07
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재 전공 외 인원 수강 절대 불가 수강신청시 수강삭제
프런티어전자재료
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE790 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과/프런티어소재융합전공/SMART에너지사업단 잠여학생들만 수강가능
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2021 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 2019학번부터는 정보전자신소재공학과 학생만 수강 가능
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
졸업논문(고분자.섬유신소재전공)
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE4001 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2020 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
화학1
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : APCH1121 - 09
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과 전용 강의 타학과 수강불가
정보전자신소재종합설계1
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE475 - 05
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 학부연구생만 담당교수님과 상의 후 수강신청 가능
졸업논문(정보전자신소재공학)
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE400 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(0학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2020 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
박막공학
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE332 - 00
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
고체물리
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE732 - 00
  • 대상학년(학점) : 학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 학부생 수강가능
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 04
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 03
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 02
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
신소재합성및실험
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE396 - 01
  • 대상학년(학점) : 3학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 :
공학프로그래밍입문
  • 학년도-학기 : 2019 - 1
  • 학수번호-분반 : AMIE201 - 00
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : 정보전자신소재공학과 학생만 수강가능
물리학2
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : APHY1001 - 09
  • 대상학년(학점) : 1학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 : ABEEK대상강좌(정보전자신소재공학과전용)
첨단금속재료공학
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE473 - 00
  • 대상학년(학점) : 4학년(3학점)
  • 언어구분 : 전체영어강좌
  • 수업운영방식 : 일반강좌
  • 특이사항 :
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 04
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 03
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 02
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
기초신소재및실험
  • 학년도-학기 : 2018 - 2
  • 학수번호-분반 : AMIE274 - 01
  • 대상학년(학점) : 2학년(3학점)
  • 언어구분 : 한국어강좌
  • 수업운영방식 : 팀티칭
  • 특이사항 : 이론수업은 팀티칭으로 합반하여 운영
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